База кодов ГОСТ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКАПолупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14

  • ГОСТ 20398.6-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора
    Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора
  • ГОСТ 20398.7-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки
    Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки
  • ГОСТ 20398.8-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока
    Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока
  • ГОСТ 20398.9-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме
    Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме
  • ГОСТ 20398.10-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме
    Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме
  • ГОСТ 20398.11-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума
    Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума
  • ГОСТ 20398.12-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока
    Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА
  • ГОСТ 20398.13-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток
    Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора
  • ГОСТ 20398.14-88.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока
    Field-effect transistors. Method of measuring output power, power gain and drain efficiency
    Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные и сверхвысокочастотные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока в схеме генератора с независимым возбуждением
  • ГОСТ 20859.1-89.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования
    Power semiconductor devices. General technical requirements
    Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.
    Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие:
    1) в средах с токопроводящей пылью;
    2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
    3) во взрывоопасной среде;
    4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14

Вопрос-ответ
Заказ документов